پیش از این با توجه به خواص قوی انعطاف‌پذیری نانولوله‌های کربنی، محققان ترانزیستورهایی با قابلیت نورد،‌ خمش و کشش تولید کرده بودند؛ اما ترانزیستور جدید بدون کاهش خواص الکتریکی، از حداکثر قدرت خمیدگی و انعطاف برخوردار است.

به گفته پروفسور «شیگئو مارویاما» استاد مهندسی مکانیک دانشگاه توکیو، با توجه به قدرت انعطاف‌پذیری فوق‌العاده این ترانزیستور، این فناوری می‌تواند منجر به تولید قطعات الکترونیکی مانند یک چسب، باند یا قطعات الکترونیک پوشیدنی شود.

بر خلاف سایر ترانزیستورهای اثر میدانی (FET)، تمامی کانال‌ها و الکترودهای ترانزیستور جدید از نانولوله های کربنی (CNT) ساخته شده‌اند و بستر آن از پلی وینیل الکل (PVA) بسیار انعطاف‌پذیر و شفاف تهیه شده است.

در اکثر ترانزیستورهای اثر میدانی از طلا یا اکسید قلع ایندیم به عنوان الکترود استفاده می‌شود که طلا باعث کاهش شفافیت و اکسید قلع نیز قابلیت انعطاف‌پذیری ترانزیستور را کاهش می‌دهد. در برخی از ترانزیستورهای جدید از نانولوله‌های کربنی استفاده شد، اما بدلیل استفاده از بستر پلاستیکی، انعطاف دستگاه محدود شده است.

ترانزیستور نانولوله کربنی جدید بر روی بستر پلی وینیل الکل قرار گرفت و ضخامت نهایی دستگاه 15 میکرون اعلام شد که قدرت انعطاف پذیری ترانزیستور را به شدت افزایش داد.

قدرت خم شدگی ترانزیستور به حدی است که مانند یک کاغذ مچاله می‌شود، بدون این که در خواص الکتریکی آن تغییری ایجاد شود.

انتقال نوری ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی (CNT-FET) بیش از 80 درصد است و به تولید تجاری نزدیک شده است.